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    瞄准下一代存储技术,新型存储器项目落户武汉

    200-01-01

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    武汉集成电路产业再添重要拼图。3月30日举行的武汉市集成电路产业招商对接会上,武汉经开区与芯连鑫(武汉)半导体有限公司(以下简称芯连鑫半导体)正式签约,“三维相变存储器研发及产业化项目”正式启动。

    据了解,该项目将在武汉经开区建设研发中心,项目聚焦于突破现有存储技术瓶颈,专注于新型存储器PCM的解决方案,在AI算力网络、数据中心、智能汽车领域等方面提供有力支撑。

    行业数据显示,全球半导体存储器市场长期由三星、美光等国外企业主导,尽管国内企业在NAND闪存、DRAM芯片等领域取得突破,但现有技术仍无法满足AI算力网络、数据中心等场景对存储设备的综合性能要求。

    芯连鑫半导体有关负责人透露,其研发的PCM产品,通过材料创新和三维堆叠技术实现存储密度与速度的双重突破。

    值得关注的是,作为武汉“光芯屏端网”产业集群的重要补充,项目不仅将配套开发内存控制芯片、智能网卡光模块等关键器件,更计划构建从芯片设计到模组集成的完整产业链。

    据悉,芯连鑫半导体已与广西天山电子等企业建立战略合作,其研发成果将率先应用于AI服务器和车载智能系统。业内人士分析,三维相变存储器的产业化有望重构现有存储市场格局,为5G、元宇宙等前沿领域提供底层技术支撑。

    编辑:聂杨



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